出典: 抵抗変化型メモリ 『フリー百科事典 ウィキペディア日本語版(Wikipedia)』 最終更新 2017年8月6日 (日) 06:30 UTC、URL: https://ja.wikipedia.org/ ReRAM(英: resistive random access memory)は電圧の印加による電気抵抗の変化を利用した半導体メモリー。RRAM、抵抗変化型メモリなどとも呼ばれる。なおRRAMはシャープの登録商標である。ReRAMは電圧印加による電気抵抗の大きな変化(電界誘起巨大抵抗変化、CER効果)を利用しており、 ● 電圧で書き換えるため(電流が微量で)消費電力が小さい ● 比較的単純な構造のためセル面積が約6F2(Fは配線の径で、数十nm程)と小さく、高密度化(=低コスト化)が可能 ● 電気抵抗の変化率が数十倍にものぼり、多値化も容易 ● 読み出し時間が10ナノ秒程度と、DRAM並に高速 といったデバイスとしての利点がある。 [原理] 電界誘起巨大抵抗変化には、金属酸化物と電極の界面での抵抗変化と、金属酸化物中での電導経路の抵抗変化の2種類の原理がある。 ・・・ |
同義語・類義語 | 関連語・その他 |
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抵抗変化メモリ | CER効果 |
ReRAM | クロスポイント型ReRAM |
Resistance RAM | シャープ |
Resistive RAM | 電界誘起巨大抵抗変化 |
Resistive Random Access Memory | ・ |
rizístiv rǽndəm ǽkses mémri | Resistance |
リジィスティヴ ラェンダゥム アクセス メモゥリー | rizístəns |
リジィスティヴ・ラェンダゥム・アクセス・メモゥリー | リィジィスタゥンツ |
レジスティブ ランダム アクセス メモリ | レジスタンス |
レジスティブ・ランダム・アクセス・メモリ | [名詞] |
RRAM | 電気抵抗 |
アール イー・ラム | ・ |
アール ラム | Resistive |
アール・ラム | rizístiv |
アールラム | リジィスティヴ |
強誘電抵抗変化メモリー | レジスティブ |
抵抗変化メモリー | [形容詞] |
抵抗変化型メモリ | 電気抵抗の |
抵抗変化型メモリー | 抵抗性の |
抵抗変化型不揮発メモリ | ・ |
access | |
ǽkses | |
アェクセス | |
アェ́クセス | |
アクセス | |
ア́クセス | |
[名詞] | |
交通手段 | |
交通の便 | |
接近 | |
接近手段 | |
[他動詞] | |
立ち入る | |
入る | |
接続する | |
読み書きする | |
利用可能にする | |
・ | |
更新日:2022年10月23日 |