| 出典: CMOS 『通信用語の基礎知識』 更新年月日 2007/06/05,URL: https://www.wdic.org/ 相補型金属酸化膜半導体。半導体素子の一つ。 [概要] MOSを素子として作られたICの一種である。 PチャネルMOS(PMOS)とNチャネルMOS(NMOS)という性質の異なったタイプのトランジスタを同一基板上で互いに動作を補いあって働くように作られたIC。これが相補型という名の語源となっている。 [特徴] 発熱 CMOS構造のICは、動作周波数と内部の動作トランジスタ数が消費電力と正比例する性質がある。 遅く動かしているうちは低消費電力であるが、高速に動かすようになると急激に消費電力が増える。実際、マイクロプロセッサーでは動作電圧を低下させて消費電力を低減させているが、それでも電流自体は増大の一途をたどっている。 消費電力が増すということは、比例して発熱するということである。そのため、消費電力の低減には多くの努力と技術が注がれ続けてきた。この消費電力低減は、動作電圧の低下以外にも、微細加工によってももたらされる。これは単位あたりの静電容量が減少することで電流が減るためである。 種類 CMOSにはAlゲートプロセスとSiゲートプロセスという、大きく2タイプが存在している。 Alゲートプロセス(8〜10µmルール)製法で作られているのが古いタイプのCMOSで、動作周波数もおよそ5MHz止まりと低速だが、その代わりに動作電圧範囲が広い(3〜15V)という特徴がある。 Siゲートプロセスという製法で作られているのが新しいタイプ(高速タイプ)で、設計ルールも1〜2µm以下になり、最近の主流LSI技術になっている。 利用 最も簡単な回路で構成できる基本論理はNAND、もしくはNORであるが、多くのディジタル回路設計者はTTL譲りの習慣として、NANDを優先して使う傾向がある。 ファミリーは、CMOSをメタル・ゲート・プロセスにして最初に商品化したRCAの4000シリーズと、その後、Texas InstrumentsのTTLにピン配置を合わせて作られた74シリーズとがある。後者は派生ファミリーも続々と開発され、今では4000シリーズを越えて完全に主流となった。 |
| 出典: CMOS 『フリー百科事典 ウィキペディア日本語版(Wikipedia)』 最終更新 2019年12月10日 (火) 05:30 UTC、URL: https://ja.wikipedia.org/ CMOS（シーモス、Complementary MOS; 相補型MOS）とは、P型とN型のMOSFETをディジタル回路（論理回路）の論理ゲート等で相補的に利用する回路方式（論理方式）、およびそのような電子回路やICのことである。また、そこから派生し多義的に多くの用例が観られる。 [原理] pチャネルとnチャネル のMOSFETを、相補的に利用する。 ・・・ [特徴] TTLや、NMOSやPMOSのように片方だけを利用する方式では、常に回路に電流が流れつづけるのに対し、CMOSでは論理が反転する際にMOSFETのゲートを飽和させる（あるいは飽和状態のゲートから電荷を引き抜く）ための電流しか流れないため、消費電力の少ない論理回路を実現できる。さらに、微細化することにより、単一のMOSFETをスイッチングさせるのに要する電力量を減少させることができる。これにより、集積度を向上させるだけで、高速化と消費電力の低減も同時に得られる（デナード則。ムーアの法則も参照）。 |
| 同義語・類義語 | 関連語・その他 |
|---|---|
| Bi-CMOS | |
| BiCMOS | |
| Bipolar Complementary Metal Oxide Semiconductor | |
| Bipolar Complementary Metal-Oxide Semiconductor | |
| Bipolar Junction Transistor | |
| Bipolar-CMOS | |
| Bipolar-Complementary Metal Oxide Semiconductor | |
| bipolar-complementary metal oxide semiconductor | |
| BJT | |
| BRT | |
| CMOS | |
| バイシーモス | |
| バイポーラ・トランジスタ | |
| バイポーラトランジスタ | |
| ビックモス | |
| 双極性トランジスタ | |
| 抵抗内蔵トランジスタ | |
| 更新日: |
| 同義語・類義語 | 関連語・その他 |
|---|---|
| CMOS | NMOS |
| síːmɔs | エヌモス |
| シィーモァース | PMOS |
| シィ́ーモァース | P-channel Metal-Oxide Semiconductor |
| スィーモス | P型金属酸化膜半導体 |
| スィ́ーモス | ピーモス |
| シーモス | デナード則 |
| シ́ーモス | ムーアの法則 |
| Complementary MOS | ・ |
| kɑ̀mpləmɛ́ntəri mɔs | complementary |
| カンプラゥメゥダゥリィー モァース | kɑ̀mpləmɛ́ntəri |
| カンプラゥメゥダゥリィー・モァース | カンプラゥメゥダゥリィー |
| カ̀ンプラゥメゥ́ダゥリィー・モァース | カ̀ンプラゥメゥ́ダゥリィー |
| コンプリメンタリー モス | コンプリメンタリー |
| コンプリメンタリー・モス | コ̀ンプリメ́ンタリー |
| コ̀ンプリメ́ンタリー・モス | [形容詞] |
| Complementary Metal Oxide Semiconductor | 相補的な |
| Complementary Metal-Oxide Semiconductor | そうほてきな |
| kɑ̀mpləmɛ́ntəri métəl ɑ́ksaid sèmikəndʌ́ktər | 相補う |
| カンプラゥメゥダゥリィー メトゥルゥ オクサイドゥ セミケンダクタゥァー | 補足的な |
| カンプラゥメゥダゥリィー・メトゥルゥ・オクサイドゥ・セミケンダクタゥァー | 補完する |
| カ̀ンプラゥメゥ́ダゥリィー・メ́トゥルゥ・アォ́クサイドゥ・セ̀ミケンダ̀クタゥァー | |
| コンプリメンタリー メタル オキサイド セミコンダクター | |
| コンプリメンタリー・メタル・オキサイド・セミコンダクター | |
| コ̀ンプリメ́ンタリー・メ́タル・オ́キサイド・セ̀ミコンダ́クター | |
| 相補型MOS | |
| そうごがた モス | |
| 相補型金属酸化膜半導体 | |
| そうほがた きんぞく さんかまく はんどうたい | |
| 相補性金属酸化膜半導体 | |
| そうほせい きんぞく さんかまく はんどうたい | |
| 更新日:2024年 4月 7日 |
| 同義語・類義語 | 関連語・その他 |
|---|---|
| Metal Oxide Semiconductor | CMOS |
| Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor | complementary MOS |
| Metal-Oxide Semiconductor | negative MOS |
| MOS | nMOS |
| MOS FET | pMOS |
| MOSFET | positive MOS |
| MOSトランジスタ | |
| モス | |
| 金属酸化物半導体 | |
| 金属酸化膜半導体 | |
| 更新日: |