| 出典: 抵抗変化型メモリ 『フリー百科事典 ウィキペディア日本語版(Wikipedia)』 最終更新 2017年8月6日 (日) 06:30 UTC、URL: https://ja.wikipedia.org/ ReRAM（英: resistive random access memory）は電圧の印加による電気抵抗の変化を利用した半導体メモリー。RRAM、抵抗変化型メモリなどとも呼ばれる。なおRRAMはシャープの登録商標である。ReRAMは電圧印加による電気抵抗の大きな変化（電界誘起巨大抵抗変化、CER効果）を利用しており、 ● 電圧で書き換えるため（電流が微量で）消費電力が小さい ● 比較的単純な構造のためセル面積が約6F2（Fは配線の径で、数十nm程）と小さく、高密度化（=低コスト化）が可能 ● 電気抵抗の変化率が数十倍にものぼり、多値化も容易 ● 読み出し時間が10ナノ秒程度と、DRAM並に高速 といったデバイスとしての利点がある。 [原理] 電界誘起巨大抵抗変化には、金属酸化物と電極の界面での抵抗変化と、金属酸化物中での電導経路の抵抗変化の2種類の原理がある。 ・・・ |
| 同義語・類義語 | 関連語・その他 |
|---|---|
| ReRAM | CER効果 |
| ɑ́ːr íː rǽm | クロスポイント型ReRAM |
| アゥー イー ラェム | 電界誘起巨大抵抗変化 |
| アゥー イー・ラェム | ・ |
| アゥ́ー イ́ー・ラェ́ム | Resistance |
| アール イー ラム | rizístəns |
| アール イー・ラム | リィジィスタゥンツ |
| ア́ール イ́ー・ラ́ム | リィジィ́スタゥンツ |
| ・ | レジスタンス |
| RRAM | レジ́スタンス |
| ɑ́ːr rǽm | [名詞] |
| アゥー ラェム | 電気抵抗 |
| アゥー・ラェム | ・ |
| アゥ́ー・ラェ́ム | Resistive |
| アール ラム | rizístiv |
| アール・ラム | リィジィスティヴ |
| ア́ール・ラ́ム | リィジィ́スティヴ |
| ・ | レジスティブ |
| Resistance RAM | レジ́スティブ |
| Resistive RAM | [形容詞] |
| Resistive Random Access Memory | 電気抵抗の |
| rizístiv rǽndəm ǽkses mémri | 抵抗性の |
| リィジィスティヴ ラェンダゥム アクセス メモゥリー | ・ |
| リィジィスティヴ・ラェンダゥム・アクセス・メモゥリー | access |
| リィジィ́スティヴ・ラェ́ンダゥム・アェ́クセス・メ́モゥリー | ǽkses |
| レジスティブ ランダム アクセス メモリー | アェクセス |
| レジスティブ・ランダム・アクセス・メモリー | アェ́クセス |
| レジ́スティブ・ラ́ンダム・ア́クセス・メ́モリー | アクセス |
| 抵抗変化メモリー | ア́クセス |
| ていこう へんか メモリー | [名詞] |
| 強誘電抵抗変化メモリー | 交通手段 |
| きょう ゆうでん ていこう へんか メモリー | 交通の便 |
| 抵抗変化型メモリー | 接近 |
| ていこう へんかがた メモリー | 接近手段 |
| 抵抗変化型不揮発メモリー | [他動詞] |
| ていこう へんかがた ふきはつ メモリー | 立ち入る |
| 入る | |
| 接続する | |
| 読み書きする | |
| 利用可能にする | |
| 更新日:2024年 5月18日 |