| 出典: SOI [外語] Sillicon On Insulator 『通信用語の基礎知識』 更新年月日 2011/09/08,URL: https://www.wdic.org/ 半導体集積回路において、絶縁層によって素子間を電気的に分離(絶縁)する技術。 [概要] 絶縁能力が従来のpn分離よりも優れているため、比較的高電圧で使用するICの性能向上に効果が大。 唯一の難点は基板(ウェハー)製造コストの上昇である。 [特徴] 従来は、素子間に常に逆バイアスとなるようpn接合を形成し、これにより素子を分離するpn分離という技術が用いられていた。 しかしこの方法には、次のような問題や難点があった。 ● 製造工程の複雑化によって素子性能が低下する ● 比較的広いスペースが必要なため高密度化の妨げになる ● 思わぬ個所に寄生素子を生じる場合があるため回路設計が複雑化する ● 逆バイアスされたpn接合には接合容量(静電容量)があるため、動作速度の向上を阻害する SOI技術を用いることにより上記の問題点を解消でき、動作速度の向上や集積密度の高密度化、低消費電力を実現する事ができる。 |
| 出典: SOI 『フリー百科事典 ウィキペディア日本語版(Wikipedia)』 最終更新 2018年6月30日 (土) 01:46 UTC、URL: https://ja.wikipedia.org/ SOI (Silicon on Insulator) は、CMOS LSIの高速性・低消費電力化を向上させる技術である。従来の集積回路上のMOSFETは、素子間分離をPN接合の逆バイアスによって形成するが、寄生ダイオードやサブストレートとの間に浮遊容量が生じ、信号の遅延やサブストレートへのリーク電流が発生していた。この浮遊容量を低減するため、MOSFETのチャネルの下に絶縁膜を形成し、浮遊容量を減らしたものがSOIである。また、このような絶縁膜を内包したウエハをSOIウエハと呼び、従来のウエハはSOIウエハと区別するためにバルクシリコン（バルクウエハ）と呼ばれる場合がある。 ・・・ |
| 同義語・類義語 | 関連語・その他 |
|---|---|
| SoE | SoR |
| és óu íː | és óu ɑ́ːr |
| エス オウ イー | エス オウ アゥーァ |
| エ́ス オ́ウ イ́ー | エ́ス オ́ウ アゥ́ーァ |
| エス オー イー | エス オー アール |
| エ́ス オ́ー イ́ー | エ́ス オ́ー ア́ール |
| ・ | ・ |
| Systems of Engagement | System of Record |
| sístəmz əv engéidʒmənt | sístəm əv engéidʒmənt |
| シィステムズ オァヴ エィンゲイジマゥントゥ | シィステム オァヴ エィンゲイジマゥントゥ |
| シィステムズ・オァヴ・エィンゲイジマゥントゥ | シィステム・オァヴ・エィンゲイジマゥントゥ |
| シィ́ステムズ・オァヴ・エィンゲ́イジマゥントゥ | シィ́ステム・オァヴ・エィンゲ́イジマゥントゥ |
| システムズ オブ インゲイジメント | システム オブ インゲイジメント |
| システムズ・オブ・インゲイジメント | システム・オブ・インゲイジメント |
| シ́ステムズ・オブ・インゲ́イジメント | シ́ステム・オブ・インゲ́イジメント |
| エンゲージメントのためのシステム | 記録のためのシステム |
| ユーザーとつながるためのシステム | ・ |
| ・ | SoI |
| és óu ái | |
| エス オウ アイ | |
| エ́ス オ́ウ ア́イ | |
| エス オー アイ | |
| 【 以下関連語 】 | エ́ス オ́ー ア́イ |
| engagement | ・ |
| engéidʒmənt | System of Insight |
| エィンゲイジマゥントゥ | sístəm əv ínsàit |
| エィンゲ́イジマゥントゥ | シィステム オァヴ インサイトゥ |
| インゲイジメント | シィステム・オァヴ・インサイトゥ |
| インゲ́イジメント | シィ́ステム・オァヴ・イ̀ンサ̀イトゥ |
| エンゲージメント | システム オブ インサイト |
| [名詞] | システム・オブ・インサイト |
| 出席の約束 | シ́ステム・オブ・イ̀ンサ̀イト |
| 婚約 | インサイトを分析するためのシステム |
| 結婚の約束 | 洞察のためのシステム |
| つながり | どうさつのための システム |
| 絆 | |
| きずな | |
| 約束 | |
| やくそく | |
| ・ | |
| 更新日:2025年 4月13日 |
| 同義語・類義語 | 関連語・その他 |
|---|---|
| SOI | Silicon |
| és óu ái | sílikn |
| エス オウ アイ | シィリゥィカゥン |
| エ́ス オ́ウ ア́イ | シィ́リゥィカゥン |
| エス オー アイ | シリコン |
| エ́ス オ́ー ア́イ | シ́リコン |
| ソイ | [名詞] |
| ・ | ケイ素 |
| Silicon on Insulator | 原子番号14の元素 |
| Silicon On Insulator | 原子量28.0855(3) |
| Silicon-On-Insulator | Si |
| sílikn ɑn ínsəlèitər | ・ |
| シィリゥィカゥン オァン インソレゥイダゥー | SIMOX |
| シィリゥィカゥン・オァン・インソレゥイダゥー | SOIウエハ |
| シィ́リゥィカゥン・オァン・イ́ンソレゥ̀イダゥー | サイモックス |
| シリコン オン インスレーター | チップ製造技術 |
| シリコン・オン・インスレーター | バルクウエハ |
| シ́リコン・オァン・イ́ンスレ̀ーター | バルクシリコン |
| ・ | 半導体製造技術 |
| SOIウェーハ | ・ |
| SOI技術 | Insulator |
| ínsəlèitər | |
| インソレゥイダゥー | |
| イ́ンソレゥ̀イダゥー | |
| インスレーター | |
| イ́ンスレ̀ーター | |
| [名詞] | |
| 絶縁体 | |
| ぜつえんたい | |
| 絶縁物 | |
| ぜつえんぶつ | |
| 碍子 | |
| がいし | |
| 更新日:2024年11月 4日 |