| 出典: 相変化メモリ 『フリー百科事典 ウィキペディア日本語版(Wikipedia)』 最終更新 最終更新 2017年2月19日 (日) 03:33 UTC、URL: https://ja.wikipedia.org/ 相変化メモリ(そうへんかめもり・英: Phase Change Random Access Memory)は、相変化記録技術を利用した、不揮発性メモリであり、PCRAM・PRAM・PCMとも呼ばれる。DRAMとの違いはキャパシター部分を相変化膜に置き換えだけであり、従来の製造プロセスと親和性が高く、技術的に共通点が多く、既存の設備を流用し易い。結晶相は低抵抗でアモルファス相は高抵抗である事を利用してデータの記録に利用する。書き込みは素子への熱変化により行う。 ・・・ |
| 同義語・類義語 | 関連語・その他 |
|---|---|
| PCM | |
| PCRAM | |
| Phase Change RAM | |
| Phase Change Random Access Memory | |
| PRAM | |
| ピーラム | |
| フェイズ・チェインジ・ラェンダゥム・アクセス・メモゥリー | |
| フェーズ・チェンジ・ランダム・アクセス・メモリ | |
| 相変化メモリ | |
| 不揮発メモリ | |
| 不揮発性メモリ | |
| 更新日:2021年11月13日 |