| 出典: ガリウム砒素半導体 『通信用語の基礎知識』 更新年月日 空白,URL: https://www.wdic.org/ ガリウム砒素を合金化することで、13族と15族をあわせることになり、都合14族の結合状態を作り出し、半導体特性を得たもの。 その性質は、増幅率、反応速度ともに良好であり、通信機や携帯電話などの超高周波の発生制御回路として普及している。 製造工程が複雑であるため、製造コストが高く高集積化しにくい。 |
| 出典: ガリウム砒素 [外語] gallium arsenic 『通信用語の基礎知識』 更新年月日 空白,URL: https://www.wdic.org/ 化合物半導体の一。半導体の主物質にゲルマニウム、不純物としてガリウムと砒素を利用したもの。ガリウムの13族と砒素の15族をあわせることで14族の結合状態を作り出し、半導体特性を得ている。 ● 性能はきわめて良好で、化合物半導体としては多数派に属する。これを用いて作られた半導体素子はシリコンで作られたものよりも高速な動作が可能だが、漏れ電流が大きくなるという短所がある。 ● ゲルマニウムにガリウムを注入したものはp型、砒素を注入したものはn型のゲルマニウム半導体と呼ばれる。 |
| 出典: ヒ化ガリウム 『フリー百科事典 ウィキペディア日本語版(Wikipedia)』 最終更新 2018年6月9日 (土) 09:11 UTC、URL: https://ja.wikipedia.org/ ヒ化ガリウム（ヒかガリウム、gallium arsenide）はガリウムのヒ化物であり、組成式はGaAsである。化合物半導体であるため、その性質を利用して半導体素子の材料として多用されている。半導体分野ではガリウムヒ素（ガリウム砒素）という俗称、さらにはそれを短縮したガリヒ素という呼称で呼ばれることも多い。 ・・・ |
| source of reference: Gallium arsenide phosphide (The Free Encyclopedia WikipediA) last edited on 26 October 2020, at 11:58 UTC, URL: https://en.wikipedia.org/ Gallium arsenide phosphide (GaAs1−xPx) is a semiconductor material, an alloy of gallium arsenide and gallium phosphide. It exists in various composition ratios indicated in its formula by the fraction x.Gallium arsenide phosphide is used for manufacturing red, orange and yellow light-emitting diodes. It is often grown on gallium phosphide substrates to form a GaP/GaAsP heterostructure. In order to tune its electronic properties, it may be doped with nitrogen (GaAsP:N). |
| 同義語・類義語 | 関連語・その他 |
|---|---|
| GaAs | Gallium |
| Gallium Arsenide | gǽliəm |
| gǽliəm ɑ́ːrsənàid | ギャェリィアゥム |
| ギャェリィアゥム アゥーサゥナイドゥ | ギャェ́リィアゥム |
| ギャェリィアゥム・アゥーサゥナイドゥ | ガリューム |
| ギャェ́リィアゥム・アゥ́ーサゥナイドゥ | ガ́リューム |
| ガリューム アーサナイドゥ | [名詞] |
| ガリューム・アーサナイドゥ | 原子番号31の元素 |
| ガ́リューム・ア́ーサナイドゥ | Ga |
| GAS | ・ |
| ガリウムヒソ | arsenic |
| ガリウムヒ素 | ɑ́rsənìk |
| ガリウム砒素 | アァーシィニェック |
| ガリウムひそ | アァ́ーシィニェッ̀ク |
| ガリヒ素 | アーセニック |
| ヒ化ガリウム | ア́ーセニッ̀ク |
| ヒかガリウム | [名詞] |
| gallium arsenic | ヒ素 |
| gǽliəm ɑ́rsənìk | 砒素 |
| ギャェリィアゥム アァーシィニェック | ひそ |
| ギャェリィアゥム・アァーシィニェック | [形容詞] |
| ギャェ́リィアゥム・アァ́ーシィニェッ̀ク | 砒素の |
| ガリューム アーセニック | ・ |
| ガリューム・アーセニック | Arsenide |
| ガ́リューム・ア́ーセニッ̀ク | ɑ́ːrsənàid |
| アゥーサゥナイドゥ | |
| アゥ́ーサゥナイドゥ | |
| アーサナイドゥ | |
| ア́ーサナイドゥ | |
| [名詞] | |
| ヒ化物 | |
| 砒化物 | |
| ヒ素化合物 | |
| 砒素化合物 | |
| ひそ かごうぶつ | |
| ・ | |
| 化合物半導体 | |
| 更新日:2024年 1月 1日 |
| 同義語・類義語 | 関連語・その他 |
|---|---|
| GaAsp | ヒ化物 |
| GaAsP | 砒化物 |
| gallium arsenide phosphide | 砒素化合物 |
| gǽliəm ɑ́ːrsənàid fɑ́sfàid | ひそ かごうぶつ |
| ギャェリィアゥム アゥーサゥナイドゥ フォァスファイドゥ | ヒ素化合物 |
| ギャェリィアゥム・アゥーサゥナイドゥ・フォァスファイドゥ | ・ |
| ギャェ́リィアゥム・アゥ́ーサゥナイドゥ・フォァ́スファ̀イドゥ | GaAs |
| ガリューム アーサナイドゥ フォスファイドゥ | Gallium Arsenide |
| ガリューム・アーサナイドゥ・フォスファイドゥ | gǽliəm ɑ́ːrsənàid |
| ガ́リューム・ア́ーサナイドゥ・フォ́スファ̀イド | ギャェリィアゥム アゥーサゥナイドゥ |
| Gallium Arsenic Phosphide | ギャェリィアゥム・アゥーサゥナイドゥ |
| gǽliəm ɑ́rsənìk fɑ́sfàid | ギャェ́リィアゥム・アゥ́ーサゥナイドゥ |
| ギャェリィアゥム アァーシィニェック フォァスファイドゥ | ガリューム アーサナイドゥ |
| ギャェリィアゥム・アァーシィニェック・フォァスファイドゥ | ガリューム・アーサナイドゥ |
| ギャェ́リィアゥム・アァ́ーシィニェッ̀ク・フォァ́スファ̀イドゥ | ガ́リューム・ア́ーサナイドゥ |
| ガリューム アーセニック フォスファイドゥ | ガリューム砒素 |
| ガリューム・アーセニック・フォスファイドゥ | ガリュームひそ |
| ガ́リューム・ア́ーセニッ̀ク・フォ́スファ̀イド | ・ |
| ガリウム砒素リン | phosphide |
| リン化ガリウム砒素 | fɑ́sfàid |
| ・ | フォァスファイドゥ |
| 【 以下関連語 】 | フォァ́スファ̀イドゥ |
| gallium | フォスファイド |
| gǽliəm | フォ́スファ̀イド |
| ギャェリィアゥム | [名詞] |
| ギャェ́リィアゥム | リン化物 |
| ガリウム | ・ |
| ガリューム | arsenic |
| ガ́リューム | ɑ́rsənìk |
| [名詞] | アァーシィニェック |
| Ga | アァ́ーシィニェッ̀ク |
| 原子番号31の元素 | アーセニック |
| ・ | ア́ーセニッ̀ク |
| arsenide | [名詞] |
| ɑ́ːrsənàid | ヒ素 |
| アゥーサゥナイドゥ | 砒素 |
| アゥ́ーサゥナイドゥ | [形容詞] |
| アーサナイドゥ | 砒素の |
| ア́ーサナイドゥ | |
| [名詞] | |
| 更新日:2024年 1月18日 |