【 「分子線エピタキシー法」又はそれに関連する用語の意味 】
出典: エピタキシャル成長 『フリー百科事典 ウィキペディア日本語版(Wikipedia)』 最終更新 2016年10月25日 (火) 14:21 UTC、URL: https://ja.wikipedia.org/
エピタキシャル成長（英語：epitaxial growth）とは、薄膜結晶成長技術のひとつである。基板となる結晶の上に結晶成長を行い、下地の基板の結晶面にそろえて配列する成長の様式である。基板と薄膜が同じ物質である場合をホモエピタキシャル、異なる物質である場合をヘテロエピタキシャルと呼ぶ。結晶成長の方法として分子線エピタキシー法や有機金属気相成長法、液相エピタキシー法などがある。エピタキシャル成長が起こるには格子定数のほぼ等しい結晶を選ぶ必要があり、温度による膨張係数の近い物でなくてはならない。 ・・・ |
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【 分子線エピタキシー法 の同義語と関連語 】
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| 同義語・類義語 |
関連語・その他 |
| Epitaxial Growth |
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| epitaxial growth |
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| epitaxy |
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| エピタキシ |
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| エピタキシアルゥ・グロウスゥ |
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| エピタキシャル成長 |
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| ヘテロエピタキシャル |
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| ホモエピタキシャル |
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| 液相エピタキシー法 |
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| 分子線エピタキシー法 |
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| 有機金属気相成長法 |
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