| 出典: トンネルダイオード 『フリー百科事典 ウィキペディア日本語版(Wikipedia)』 最終更新 2020年4月23日 (木) 15:19 UTC、URL: https://ja.wikipedia.org/ トンネルダイオード（tunnel diode）または江崎ダイオード（Esaki diode）は、量子トンネル効果を使った半導体によるダイオードの一種で、高速動作を特徴としマイクロ波レベルの高周波回路でよく使われている。 [概要] 1957年8月、東京通信工業（現ソニー）の江崎玲於奈と助手の黒瀬百合子が発明した。江崎はこの半導体内のトンネル効果の発見により、1973年のノーベル物理学賞を関連分野の2名と共に受賞している。 トンネルダイオードは数十ナノメートルの幅で高濃度にドープされたpn接合を持つ。高濃度のドープにより大きくバンド端がずれ、バンドアライメントは type-III になる。すなわち、N型半導体側の伝導帯とP型半導体側の価電子帯とがエネルギー的に若干の重なりを持つようになる。 ソニーは1957年からトンネルダイオードの生産を開始し、ゼネラル・エレクトリックなどの企業が1960年ごろからそれに追随、今も少量ながら生産が続いている。通常ゲルマニウムで作られるが、ヒ化ガリウムやシリコンでも製造可能である。発振回路、増幅回路、周波数コンバータ、検波回路などで使われている。 ・・・ |
| 同義語・類義語 | 関連語・その他 |
|---|---|
| 45nm | |
| High-k | |
| High-k Metal Gate | |
| High-kゲート絶縁膜 | |
| HKMG | |
| Metal Gate | |
| ハイケー | |
| フォノン振動 | |
| メタルゲート | |
| メタルゲート電極 | |
| 高誘電率ゲート絶縁膜 | |
| 量子トンネル効果 | |
| 更新日: |
| 同義語・類義語 | 関連語・その他 |
|---|---|
| Esaki diode | ノーベル物理学賞 |
| tunnel diode | 江崎 玲於奈 |
| tʌ́nl dáioud | えさき れおな |
| タノルゥ ダイオゥードゥ | 黒瀬 百合子 |
| タノルゥ・ダイオゥードゥ | 東京通信工業 |
| タ́ノルゥ・ダ́イオウドゥ | diode |
| トンネル ダイオード | ダイオゥードゥ |
| トンネル・ダイオード | ダイオード |
| ト́ンネル・ダ́イオウドゥ | 負性抵抗 |
| トンネルダイオード | 量子トンネル効果 |
| 江崎ダイオード | |
| エサキダイオード | |
| えさきダイオード | |
| 更新日:2024年 3月19日 |