| 出典: SOI [外語] Sillicon On Insulator 『通信用語の基礎知識』 更新年月日 2011/09/08,URL: https://www.wdic.org/ 半導体集積回路において、絶縁層によって素子間を電気的に分離(絶縁)する技術。 [概要] 絶縁能力が従来のpn分離よりも優れているため、比較的高電圧で使用するICの性能向上に効果が大。 唯一の難点は基板(ウェハー)製造コストの上昇である。 [特徴] 従来は、素子間に常に逆バイアスとなるようpn接合を形成し、これにより素子を分離するpn分離という技術が用いられていた。 しかしこの方法には、次のような問題や難点があった。 ● 製造工程の複雑化によって素子性能が低下する ● 比較的広いスペースが必要なため高密度化の妨げになる ● 思わぬ個所に寄生素子を生じる場合があるため回路設計が複雑化する ● 逆バイアスされたpn接合には接合容量(静電容量)があるため、動作速度の向上を阻害する SOI技術を用いることにより上記の問題点を解消でき、動作速度の向上や集積密度の高密度化、低消費電力を実現する事ができる。 |
| 出典: SOI 『フリー百科事典 ウィキペディア日本語版(Wikipedia)』 最終更新 2018年6月30日 (土) 01:46 UTC、URL: https://ja.wikipedia.org/ SOI (Silicon on Insulator) は、CMOS LSIの高速性・低消費電力化を向上させる技術である。従来の集積回路上のMOSFETは、素子間分離をPN接合の逆バイアスによって形成するが、寄生ダイオードやサブストレートとの間に浮遊容量が生じ、信号の遅延やサブストレートへのリーク電流が発生していた。この浮遊容量を低減するため、MOSFETのチャネルの下に絶縁膜を形成し、浮遊容量を減らしたものがSOIである。また、このような絶縁膜を内包したウエハをSOIウエハと呼び、従来のウエハはSOIウエハと区別するためにバルクシリコン（バルクウエハ）と呼ばれる場合がある。 ・・・ |
| 同義語・類義語 | 関連語・その他 |
|---|---|
| SOI | Silicon |
| Silicon on Insulator | sílikn |
| Silicon On Insulator | シィリィカゥン |
| Silicon-On-Insulator | シリコン |
| sílikn ɑn ínsəlèitər | [名詞] |
| シィリィカゥン オァン インソレゥイダゥー | ケイ素 |
| シィリィカゥン・オァン・インソレゥイダゥー | 原子番号14の元素 |
| シリコン オン インスレーター | 原子量28.0855(3) |
| シリコン・オン・インスレーター | Si |
| SOIウェーハ | ・ |
| SOI技術 | SIMOX |
| エス オー アイ | SOIウエハ |
| ソイ | サイモックス |
| チップ製造技術 | |
| バルクウエハ | |
| バルクシリコン | |
| 半導体製造技術 | |
| ・ | |
| Insulator | |
| ínsəlèitər | |
| インソレゥイダゥー | |
| インソァレイタゥー | |
| インスレーター | |
| [名詞] | |
| 絶縁体 | |
| 絶縁物 | |
| 碍子 | |
| がいし | |
| 更新日:2022年 7月 5日 |