| 出典: ボタン電池 [読み] ボタン・でんち [外語] button cell 『通信用語の基礎知識』 更新年月日 2016/08/03,URL: https://www.wdic.org/ 釦(ぼたん)のような形状をした乾電池のこと。腕時計や玩具など、様々なものに使われている。 なお、似た形状ながら硬貨状に薄いものはコイン電池と呼ばれる。 【種類】 [材質] ボタン電池は、その材質によって分類でき、次のようなものがある。それぞれに2文字の記号が付けられている。 ● LR アルカリ電池 (公称電圧1.5V) ● PR 空気亜鉛電池 (公称電圧1.4V) ● SR 酸化銀電池 (公称電圧1.55V) 以下は、より薄型のコイン電池であることが多い。 ● CR 二酸化マンガンリチウム電池 (公称電圧3.0V) ● BR 弗化黒鉛リチウム電池 (公称電圧3.0V) ● GR 酸化銅リチウム電池 (公称電圧1.55V) またかつて存在した水銀電池の記号はNRやMRだった。 新種の電池が誕生したときは、同様にして「※R」という記号が与えられると思われる。 具体的な記号の命名方法は次に述べる。 [命名法概要] 命名法は複数ある。これらが混在して使われており、もって理解困難な現状を招いている。 日本国内の規格では、コイン電池と共通の6桁の一意の記号で表わされる。 ● 最初の1文字が電池の種類、材質 ● 2文字目が電池の形状(R=円筒型、F=角型) ● 次の2桁の数字が電池の直径 ● 最後の2桁の数字が電池の厚さ 6文字以外のもの、例えば「LR43」のような名称はIEC規格など別の命名規約によるものである。 [名称の例] LR41を例にすると、xx41という4桁名はIEC規格である。これは国内規格ではxx736で、7が直径7.9mm、36が厚さ3.6mmであることを表わしている。 LR43の場合も、同様にxx43という4桁名はIEC規格である。これは国内規格ではxx1142で、11が直径11.6mm、42が厚さ4.2mmであることを表わしている。 LR44では、同様にxx44という4桁名はIEC規格である。これは国内規格ではxx1154で、11が直径11.6mm、54が厚さ5.4mmであることを表わしている。 型番で示される寸法はおおざっぱなもので、実際には表示より若干大きめとなる。 これらの例に従うと、例えば国内でSR1130と言えば、酸化銀電池、円形、直径約11mm、厚さ約3.0mmを意味することになる。 【特徴】 [ボタン電池の入手性] ・・・ |
| 出典: DDR3 SDRAM [読み] ディーディーアースリー・エスディーラム [外語] Double DataRate3 SDRAM 『通信用語の基礎知識』 更新年月日 2013/07/05,URL: https://www.wdic.org/ DDR2 SDRAMの後継。 [概要] 2003(平成15)年に策定された先代DDR2 SDRAMの後継として、2005(平成17)年に策定された。 DDR(1)→DDR2と同様、DD2→DDR3も倍速となっている。 なお、VRAM用の「GDDR3 SDRAM」がATI Technologiesによって開発されたが、DDR3 SDRAMとは全く異なる規格であり、互換性はない。 [特徴] 技術 バスクロックをメモリークロックの4倍(DDRで8倍)とし、プリフェッチを8ビットとすることで高速化を行なったもの。 これにより伝送速度はDDR SDRAMの約4倍、DDR2 SDRAMの約2倍となっている。 それと同時に動作電圧は1.5Vに変更された(DDR SDRAMは2.5〜2.6V、DDR2 SDRAMは1.8V)。 またメモリーにもエコブームが訪れ、1.35Vや1.25Vなどの低電圧版の低消費電力SDRAMも登場した。1.35VについてはDDR3L SDRAMとしてJEDECで規格化された。 なお、規格化されていない高速メモリーが続々と登場するのが恒例行事であるが、こういったものは動作電圧1.65Vなど、通常と異なる設定が必要となることがある。 [規格] JEDECで仕様が策定された「DDR3 SDRAM」を利用したDIMMとして提供される。 内部構造、電圧共に変更されたため、既存のDDR2 SDRAMと互換性はない。 また、同名で呼ばれるVRAM用の「GDDR3」とは異なる規格であり、互換性はない。 名称は二通りあり、DDR3-xxxxというのが「メモリーチップ」としての規格、PC3-xxxxxというのが「メモリーモジュール」としての規格である。販売店では両者が併記されていることが多い。 ・・・ |
| 出典: リチウム電池 『フリー百科事典 ウィキペディア日本語版(Wikipedia)』 最終更新 2017年5月6日 (土) 08:04 UTC、URL: https://ja.wikipedia.org/ リチウム電池（リチウムでんち）は、負極に金属リチウムを使った化学電池である。 [概要] リチウムイオン電池、リチウムイオンポリマー電池は、負極にリチウムイオンを吸蔵する炭素等を使った二次電池であるため、リチウム電池とは区別される。もっとも普及しているコイン型リチウム（CR系）一次電池は正極に二酸化マンガン、負極にリチウムを使用している。リチウム二次電池としては正極にマンガン複合酸化物、負極にリチウム・アルミニウム合金を使用するマンガンリチウム二次電池（ML系）が普及している。 ・・・ |
| 出典: DDR3 SDRAM 『フリー百科事典 ウィキペディア日本語版(Wikipedia)』 最終更新 2019年2月4日 (月) 01:49 UTC、URL: https://ja.wikipedia.org/ DDR3 SDRAM (Double-Data-Rate3 Synchronous Dynamic Random Access Memory) は半導体集積回路で構成されるDRAMの規格の一種である。2007年頃からパーソナルコンピュータの主記憶装置などに用いられるようになり、2010年後半まで市場の主流として各種デバイスで持ちいられた。スマートデバイスなどの組み込み向けとしても、2013年以降の高性能品（ARM Cortex-A15など）に使われるようになった。インテルはNehalemマイクロアーキテクチャ（2008年）から使用している。 ・・・ |
| 同義語・類義語 | 関連語・その他 |
|---|---|
| Button Cell | 酸化銀電池 |
| button cell | 1.55V |
| bʌ́tən sél | SR626 |
| バァタゥン セルゥ | ・ |
| バァタゥン・セルゥ | 二酸化マンガンリチウム電池 |
| バァ́タゥン・セ́ルゥ | LITHIUM BATTERY |
| ボタン セル | líθiəm bǽtəri |
| ボタン・セル | リゥィシゥィアゥム バェッドゥリー |
| ボ́タン・セ́ル | リゥィシゥィアゥム・バェッドゥリー |
| ボタン電池 | リゥィ́シゥィアゥム・バェッ́ドゥリー |
| ボタン型電池 | リシアム バッテリー |
| ボタンがた でんち | リシアム・バッテリー |
| BB | リ́シアム・バッ́テリー |
| Button Battery | リチウムバッテリー |
| bʌ́tən bǽtəri | リチウム電池 |
| バァタゥン バェッドゥリー | Lithium Cell |
| バァタゥン・バェッドゥリー | Li-Mn |
| バァ́タゥン・バェッ́ドゥリー | Li電池 |
| ボタン バッテリー | リチウム一次電池 |
| ボタン・バッテリー | コイン型リチウム電池 |
| ボ́タン・バッ́テリー | コイン型リチウム一次電池 |
| コイン電池 | 3.0V |
| コイン型電池 | CR2016 |
| まめ電池 | CR2025 |
| マメ電池 | CR2032 |
| ・ | CR2430 |
| アルカリ電池 | CR1616 |
| 1.5V | ・ |
| LR41 | 【 以下関連語 】 |
| LR1130 | リチウムイオン電池 |
| LR43 | リチウム蓄電池 |
| LR44 | フッ化黒鉛リチウム電池 |
| ・ | マンガンリチウム二次電池 |
| 空気亜鉛電池 | リチウム二次電池 |
| 空気電池 | 塩化チオニルリチウム電池 |
| 1.4V | 酸化銅リチウム電池 |
| PR536 | 硫化鉄リチウム電池 |
| PR41 | フッ化黒鉛 |
| PR48 | ・ |
| ・ | IEC規格 |
| 更新日:2024年11月30日 |
| 同義語・類義語 | 関連語・その他 |
|---|---|
| DDR3 | PC3-20000 |
| DDR3 SDRAM | PC3-21333 |
| Double Data Rate3 | PC3-22400 |
| Double Data Rate3 SDRAM | PC3-23464 |
| Double Data Rate3 Synchronous DRAM | PC3-24000 |
| Double-Data-Rate3 SDRAM | ・ |
| Double-Data-Rate3 Synchronous Dynamic Random Access Memory | |
| dʌ́bəl déitə réit θríː síŋkrənəs dainǽmik rǽndəm ǽkses méməri | |
| ダボルゥ・デイタァー・レイトゥ・スゥリー・シンクロァナス・ダイナェーミェック・ラェンダゥム・アェクセス・メモゥリー | |
| ダ́ボルゥ・デ́イタァー・レ́イトゥ・スゥリ́ー・シ́ンクロァナス・ダイナェ́ーミェック・ラェ́ンダゥム・アェ́クセス・メ́モゥリー | |
| ダブル・データー・レイト・スリー・シンクロナス・ダイナミック・ランダム・アクセス・メモリー | |
| ダ́ブル・デ́ーター・レ́イト・スリ́ー・シ́ンクロナス・ダイナ́ミック・ラ́ンダム・ア́クセス・メ́モリー | 【 以下関連語 】 |
| PC3 | 1.5V |
| ディー ディー アール スリー | DDR SDRAM |
| ディー ディー アール スリー・エス ディー・ラム | DDR2 SDRAM |
| 第3世代DDR SDRAM | DDR4 SDRAM |
| 第三世代DDR SDRAM | ・ |
| ・ | access |
| DDR3-800 | ǽkses |
| DDR3-1066 | アェクセス |
| DDR3-1333 | アェ́クセス |
| DDR3-1600 | アクセス |
| DDR3-1800 | ア́クセス |
| DDR3-1866 | [名詞] |
| DDR3-2133 | 交通手段 |
| DDR3-2400 | 交通の便 |
| DDR3-2500 | 接近 |
| DDR3-2666 | 接近手段 |
| DDR3-2800 | [他動詞] |
| DDR3-2933 | 立ち入る |
| DDR3-3000 | 入る |
| ・ | 接続する |
| PC3-6400 | 読み書きする |
| PC3-8500 | 利用可能にする |
| PC3-10600 | ・ |
| PC3-12800 | チップ規格 |
| PC3-14400 | モジュール規格 |
| PC3-14900 | ・ |
| PC3-17000 | |
| PC3-19200 | |
| 更新日:2023年 9月 9日 |