formerly known as the Next Generation Form Factor |
出典: 不揮発性メモリ 『フリー百科事典 ウィキペディア日本語版(Wikipedia)』 最終更新 2019年10月25日 (金) 05:49 UTC、URL: https://ja.wikipedia.org/ 不揮発性メモリ(ふきはつせいメモリ、英: Non-volatile memory)または不揮発性記憶装置(英: non-volatile storage)は、コンピュータで使われるメモリの一種で、電源を供給しなくても記憶を保持するメモリの総称である。逆に電源を供給しないと記憶が保持できないメモリは揮発性メモリと呼ばれる。 [概要] 不揮発性メモリは現在のところ、主に補助記憶装置(ストレージという語もあるが、この節ではメモリで統一する)として使われている。主記憶装置にはもっぱら揮発性メモリが使われている。主記憶がもし不揮発であれば、コンピュータの電源を断続する際に現在のような「シャットダウン → 再起動」というシーケンスが不要になり、ノートパソコンの「ハイバネーション」のような運用を、補助記憶への退避と復帰を行わずにできるなどという利点があるが、現在のところ主に速度面であまり現実的にはなっていない。 不揮発性メモリには、ROM、フラッシュメモリ、ほとんどの種類の磁気記憶装置(ハードディスクドライブ、フロッピーディスク、磁気テープなど)、光ディスク、初期のコンピュータで使われた紙テープやパンチカードなどがある。アドレスを電気的に指定するもの(半導体メモリなど)と機械的に指定するもの(ハードディスク、光ディスク、磁気テープなど)に分類され、電気的にアドレス指定するものはビット単価が高価だが高速であり、機械的に指定するものはビット単価が安いが低速である。 ・・・ |
出典: SSD 『通信用語の基礎知識』 更新年月日 2010/11/09,URL: https://www.wdic.org/ 磁気ディスクの代わりに、半導体素子を用いたデータドライブのこと。 [概要] 記録媒体が磁気ディスクではなく、フラッシュメモリーなどの半導体メモリーである点を特徴とする。このため、比較的高速である。シリコンディスクと呼ばれるものや、フラッシュドライブ、RAMディスクなどの総称として使われている。近年では、特にフラッシュドライブのことを指すことが多いようである。フラッシュドライブの場合、近年はNAND型フラッシュメモリーが使われており、これは大きくSLCとMLCに分けられている。 [特徴] ハードディスクとの差異 高速なハードディスクドライブ(HDD)と比較した場合、確かにSSDは読み込みが高速だが、シーケンシャルリードでは「非常に高速」というほどの差は出ないようである。一方、ランダムリードは「非常に高速」である。これは、HDDの場合はシーク時間の発生が避けられないためである。なお、書き込みはHDDの方が高速である。 ・・・ |
出典: 補助記憶装置 『フリー百科事典 ウィキペディア日本語版(Wikipedia)』 最終更新 2020年2月27日 (木) 11:11 UTC、URL: https://ja.wikipedia.org/ 補助記憶装置(ほじょきおくそうち)は記憶装置の分類で、外部バスに接続され、CPUが入出力命令で操作する物を示す。メインのバスに直接接続される主記憶装置(メインメモリ)と比較するとレイテンシやスループットは遅いが比較すると大容量である。二次記憶装置などとも。 ・・・ |
出典: M.2 『フリー百科事典 ウィキペディア日本語版(Wikipedia)』 最終更新 2020年5月5日 (火) 11:16 UTC、URL: https://ja.wikipedia.org/ M.2(エムドットツー)(旧称: Next Generation Form Factor、NGFF)は、コンピュータの内蔵拡張カードのフォームファクタと接続端子について定めた規格である。M.2はmSATAの後継として開発された。機能性に優れカードの幅や長さについてもより柔軟性を持つことから、SSDやそれを組み込むウルトラブックやタブレットコンピュータなどの小さいデバイスに適した規格とされる。 M.2は本質的にはSATA Expressの小型版といえる。M.2の提供するバスインターフェイスは論理的にはSATA Expressの上位互換である。M.2はSATA Expressの持つPCI ExpressとSATA 3.0との互換性に加えて、USB 3.0との内部互換性を備える。M.2端子には一つ以上の切り欠きがあり、組み合わせで機器のタイプを示す。 [概要] M.2の拡張カードには、Wi-Fi、Bluetooth、GPS、NFC、デジタルラジオ、WiGig、WWAN、SSDなど様々な機能を持たせることができる。バス方式はPCI Express、Serial ATA 3.0、USB 3.0(USB 2.0と下位互換)の三種類が提供される。SATA規格ではrevision 3.2で新たにM.2についてのハードウェアレイアウトを定めている。 ・・・ |
出典: M.2 『フリー百科事典 ウィキペディア日本語版(Wikipedia)』 最終更新 2020年5月5日 (火) 11:16 UTC、URL: https://ja.wikipedia.org/ M.2(エムドットツー)(旧称: Next Generation Form Factor、NGFF)は、コンピュータの内蔵拡張カードのフォームファクタと接続端子について定めた規格である。M.2はmSATA(英語版)の後継として開発された。機能性に優れカードの幅や長さについてもより柔軟性を持つことから、SSDやそれを組み込むウルトラブックやタブレットコンピュータなどの小さいデバイスに適した規格とされる。 M.2は本質的にはSATA Expressの小型版といえる。M.2の提供するバスインターフェイスは論理的にはSATA Expressの上位互換である。M.2はSATA Expressの持つPCI ExpressとSATA 3.0との互換性に加えて、USB 3.0との内部互換性を備える。M.2端子には一つ以上の切り欠きがあり、組み合わせで機器のタイプを示す。 [概要] M.2の拡張カードには、Wi-Fi、Bluetooth、GPS、NFC、デジタルラジオ、WiGig、WWAN、SSDなど様々な機能を持たせることができる。バス方式はPCI Express、Serial ATA 3.0、USB 3.0(USB 2.0と下位互換)の三種類が提供される。SATA規格ではrevision 3.2で新たにM.2についてのハードウェアレイアウトを定めている。 ・・・ |
出典: 不揮発性メモリー 『通信用語の基礎知識』 更新年月日 2013/09/02,URL: https://www.wdic.org/ 電源を切っても内容が消えないメモリー。NVメモリー、NVRAMともいう。 [概要] 搭載された機器の主電源と無関係に情報を保持する機構を持つメモリーである。 電子計算機では、BIOSや、設定情報(ブートパラメーター等)の保持によく用いられてきた。他にも、Host ID、MACアドレスなどの保持に利用されている。 初期には、内蔵電池などでバックアップされたSRAMなどが使われていた。内蔵電池が切れると記録されたデータは消えることになるが、かつて、この場合に起動できなくなるコンピューターの機種も存在した。 やがて、不揮発性メモリーの技術が発展してからは電源を必要としない不揮発性メモリーに置き換わった。 [特徴] 発展 初期には、書いたら紫外線を当てて消すまで書き換えられないEPROMなどがあり、やがて電気的にも消せるようにしたEEPROMが作られた。 この頃までは容量も小さく、ファームウェアを書くためのROMであるとか、設定情報の保存用といった用途に使われていた。 その後、フラッシュメモリーが登場してからは、より汎用的な記録媒体として使われるようになり、USBメモリーなどに応用されてからはフロッピーディスクを駆逐した。 フラッシュメモリーには速度や書き換え回数など欠点が数多いため、次世代のメモリー開発も進んでおり、知られるだけでもMRAM/OUM/ReRAM/PRAMなどがある(順不同)。 種類 電源を必要としない不揮発性メモリーには、次のようなものがある。 ● EPROM ● EEPROM ・ EEROM ・ シリアルEEPROM ● フラッシュメモリー ● MRAM(Magnetic RAM) ● OUM(Ovonic統合メモリー) ● ReRAM(Resistance RAM) ● PRAM(相変化メモリー) |
出典: ソリッドステートドライブ 『フリー百科事典 ウィキペディア日本語版(Wikipedia)』 最終更新 2020年4月24日 (金) 02:53 UTC、URL: https://ja.wikipedia.org/ ソリッドステートドライブ(英語: Solid State Drive, SSD)とは、半導体メモリをディスクドライブのように扱える補助記憶装置の一種である。シリコンドライブ、半導体ドライブ、メモリドライブ、擬似ディスクドライブなどとも呼ばれる。 [概要] メモリとしてRAMを用いるRAMディスク(ハードウェア方式)の場合、揮発性メモリを使用するため、バックアップ電源を持たないと電源の切断によって記憶内容が消えてしまう。一方で、メモリに不揮発性メモリであるフラッシュメモリを用いた場合、電源切断後も内容を長期にわたり保持できる。 なお2010年時点で、シーケンシャルアクセスの転送速度と比較した場合、一般的にフラッシュメモリを用いた製品よりも、RAMディスクのほうが高速である。ただし、技術革新によりRAMディスクとフラッシュメモリの差は年々近づいている。 SSDはハードディスクドライブ (HDD) の代替デバイスとして登場したため、多くが2.5インチサイズでシリアルATAなどHDD同様のインタフェースを持つ。M.2、PCI Expressに対応したものもあるほか、USBによる外付けドライブ化されたものも登場している。 ・・・ |
source of reference: vRPM (The Free Encyclopedia WikipediA) last edited on 17 March 2018, at 14:57 UTC, URL: https://en.wikipedia.org/ vRPM, or virtual Revolutions Per Minute, was a term for a synthetic measurement of performance introduced by SanDisk for solid state drive (SSD) storage devices inside client PCs. vRPM was created to give users a metric to compare SSD performance to the hard disk drive (HDD) and to other SSDs. The term is no longer used. vRPM answers the question: "How fast would you have to spin a virtual HDD to achieve the performance of an SSD in a client PC?" It uses a language that users understand, RPM (revolutions per minute), that is a de facto industry standard to measure the performance of the HDD inside PCs. |
出典: シリコンディスク [外語] silicon disk 『通信用語の基礎知識』 更新年月日 2008/04/02,URL: https://www.wdic.org/ 大容量のRAMを用意し、これをあたかもディスクドライブと同様に扱うことができるようにした装置の総称。 [概要] 語源は、RAMがシリコンで作られていることから。 RAMディスクと呼ばれることもあるようだが、それはメインメモリーを利用した仮想ドライブのことを指すことが多いようだ。 [今昔] その昔は、バッテリーバックアップされたSRAMなどが使われていた。しかし、長期間停電するとデータが消えてしまうなどの難点があり、信頼性は低かった。重要なデータは、別途のバックアップが必須となった。 一時期はゲームソフトでも使われたものの、やがてこのようなタイプのシリコンディスクは廃れることになる。 代わって登場したものがフラッシュメモリーを利用したもので、フラッシュドライブ(あるいはフラッシュディスク)と呼ばれる。フラッシュメモリーが使われているため、電源が切られても記憶内容が保持される事が保障されている。 [特徴] ● ヘッドなどの機械部分がなく、RAMのスピードそのものでアクセス可能なため極めて高速 ● 高価。ビット単価などは、ハードディスクドライブ(HDD)には遠く及ばない それでも、2007(平成19)年現在のフラッシュドライブの価格は、低容量のHDDを置き換えるほどにまで下がってきた。 |
同義語・類義語 | 関連語・その他 |
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2次記憶装置 | Auxiliary |
Auxiliary Storage Unit | ɔgzíljəri |
ɔgzíljəri stɔ́ridʒ júːnit | オグジィリィアゥリ |
オグジィリィアゥリ ストーリッジ ユーニトゥ | オグジィ́リィアゥリ |
オグジィリィアゥリ・ストーリッジ・ユーニトゥ | オグジリアリィ |
オグジリアリー ストレージ ユニット | オーグジ́リアリー |
オグジリアリー・ストレージ・ユニット | [形容詞] |
external storage unit | 補助の |
ekstə́ːrnəl stɔ́ridʒ júːnit | 補助的な |
エクスタゥーノルゥ ストーリッジ ユーニトゥ | 予備の |
エクスタゥーノルゥ・ストーリッジ・ユーニトゥ | 付属の |
エクスターナル ストレージ ユニット | [名詞] |
エクスターナル・ストレージ・ユニット | 補助 |
二次記憶装置 | 予備 |
補助記憶装置 | 補助装置 |
外部記憶装置 | 補助者 |
・ | ・ |
storage | ハードディスク |
stɔ́ridʒ | 光学ディスク |
ストーリッジ | 磁気ディスク |
ストレージ | 磁気テープ |
記憶装置 | 磁気バブル |
storage device | 磁気コアメモリ |
storage devices | 磁気ドラムメモリ |
storage unit | ハードディスク・ドライブ |
ディスク装置 | SSD |
ソリッド・ステート・ドライブ | |
光磁気ディスク | |
フラッシュメモリ | |
更新日:2022年 9月10日 |
同義語・類義語 | 関連語・その他 |
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AFA | SSD |
All Flash Array | フラッシュメモリ |
All Flash Storage | |
all flash array | |
flash array | |
flash array storage | |
flash storage array | |
オール フラッシュ | |
オール フラッシュ アレイ ストレージ | |
オール・フラッシュ | |
オール・フラッシュ・アレイ・ストレージ | |
オール・フラッシュ・ストレージ・アレイ | |
オールゥ・フラゥッシュ・アゥレイ | |
オールフラッシュ | |
オールフラッシュアレイ | |
オールフラッシュアレイストレージ | |
オールフラッシュストレージアレイ | |
フラッシュ アレイ | |
フラッシュ アレイ ストレージ | |
フラッシュ ストレージ アレイ | |
フラッシュ・アレイ | |
フラッシュ・アレイ・ストレージ | |
フラッシュ・ストレージ・アレイ | |
フラッシュアレイ | |
フラッシュアレイストレージ | |
フラッシュストレージアレイ | |
更新日: |
同義語・類義語 | 関連語・その他 |
---|---|
AFA | SSD |
All Flash Array | フラッシュメモリ |
Full Flash | |
Full Flash Array | |
Full Flash Array Storage | |
Full Flash Storage Array | |
full flash array | |
オール フラッシュ アレイ | |
オール・フラッシュ・アレイ | |
オールフラッシュアレイ | |
フル フラッシュ アレイ | |
フル フラッシュ アレイ ストレージ | |
フル フラッシュ ストレージ | |
フル フラッシュ ストレージ アレイ | |
フル・フラッシュ・アレイ | |
フル・フラッシュ・アレイ・ストレージ | |
フル・フラッシュ・ストレージ | |
フル・フラッシュ・ストレージ・アレイ | |
フルゥ・フラゥッシュ・アゥレイ | |
フルフラッシュ | |
フルフラッシュアレイ | |
フルフラッシュアレイストレージ | |
フルフラッシュストレージ | |
フルフラッシュストレージアレイ | |
更新日: |
同義語・類義語 | 関連語・その他 |
---|---|
M.2 | SSD |
KeyA | Key ID |
KeyB | Socket 2 |
KeyE | Socket 3 |
KeyM | Socket2 |
M.2 Type A | Socket3 |
M.2 Type B | ソケット2 |
M.2 Type E | ソケット3 |
M.2 Type M | Next Generation Form Factor |
M.2ポート | NGFF |
M.2規格 | SATA M.2 |
エムツー | |
エムドットツー | |
更新日:2020年 5月 9日 |
同義語・類義語 | 関連語・その他 |
---|---|
M.2 | SSD |
エムドットツー | |
M dot 2 | |
M dot Two | |
M-dot-Two | |
ém dɑt túː | |
エィム ドァットゥ トゥー | |
エィム・ドァットゥ・トゥー | |
エィ́ム・ドァッ́トゥ・トゥ́ー | |
エム ドット ツー | |
エム・ドット・ツー | |
エ́ム・ドッ́ト・ツ́ー | |
・ | |
【M.2の旧称】 | |
NGFF | |
Next Generation Form Factor | |
nékst dʒènəréiʃən fɔ́rm fǽktər | |
ネクストゥ ジェヌゥレイシュン フォーァム ファェクタゥー | |
ネクストゥ・ジェヌゥレイシュン・フォーァム・ファェクタゥー | |
ネ́クストゥ・ジェ̀ヌゥレ́イシュン・フォ́ーァム・ファェ́クタゥー | |
ネクスト ジェネレーション フォーム ファクター | |
ネクスト・ジェネレーション・フォーム・ファクター | |
ネ́クスト・ジェ̀ネレ́ーション・フォ́ーム・ファ́クター | |
更新日:2024年 2月15日 |
同義語・類義語 | 関連語・その他 |
---|---|
MLC | NANDメモリ |
1つの素子に2ビットのデータを記憶 | NAND型フラッシュメモリ |
MLC NAND | SSD |
MLC SSD | フラッシュメモリー |
MLC2 | 不揮発メモリ |
MLCチップ | 不揮発性メモリ |
Multi Level Cell | |
multi level cell | |
Multi-Level Cell | |
Multiple Level Cell | |
エムエルシー | |
エムエルシーエスエスディー | |
マルチ レベル セル | |
マルチ・レベル・セル | |
マルチレベルセル | |
モァルゥティー・レゥヴォルゥ・セルゥ | |
更新日:2020年 5月12日 |
同義語・類義語 | 関連語・その他 |
---|---|
NVM | Volatile |
NV memory | vɑ́lətəl |
Non Volatile Memory | ヴァラゥタゥルゥ |
Non-Volatile Memory | ヴァ́ラゥタゥルゥ |
nonvolatile memory | ヴォラタル |
nɑ́n vɑ́lətəl méməri | ヴォ́ラタル |
ナゥン ヴァラゥタゥルゥ メモゥリー | [形容詞] |
ナゥン・ヴァラゥタゥルゥ・メモゥリー | 短命の |
ナゥ́ン・ヴァ́ラゥタゥルゥ・メ́モゥリー | 揮発性の |
ノン ヴォラタル メモリー | きはつせいの |
ノン・ヴォラタル・メモリー | [名詞] |
ノ́ン・ヴォ́ラタル・メ́モリー | 揮発 |
フラッシュメモリ | きはつ |
NVRAM | 揮発性 |
Non-Volatile RAM | きはつせい |
不揮発性RAM | ・ |
ふきはつせい ラム | Volatile Memory |
不揮発性メモリー | vɑ́lətəl méməri |
ふきはつせい メモリー | ヴァラゥタゥルゥ・メモゥリー |
非揮発性メモリー | ヴァ́ラゥタゥルゥ・メ́モゥリー |
不揮発メモリー | ヴォラタル・メモリー |
non-volatile storage | ヴォ́ラタル・メ́モリー |
nɑ́n vɑ́lətəl stɔ́ridʒ | 揮発性メモリー |
ナゥン ヴァラゥタゥルゥ ストーリェッジ | きはつせい メモリー |
ナゥン・ヴァラゥタゥルゥ・ストーリェッジ | |
ナゥ́ン・ヴァ́ラゥタゥルゥ・スト́ーリェッジ | |
ノン ヴォラタル ストレージ | |
ノン・ヴォラタル・ストレージ | |
ノ́ン・ヴォ́ラタル・スト́レージ | |
不揮発性記憶装置 | |
ふきはつせい きおく そうち | |
・ | |
USBメモリ | |
SSD | |
更新日:2024年 4月 8日 |
同義語・類義語 | 関連語・その他 |
---|---|
QLC | SSD |
1つの素子に4ビットのデータを記憶 | |
Quad Level Cell | |
クワッド・レベル・セル | |
クワッドゥ・レゥヴォルゥ・セルゥ | |
更新日: |
同義語・類義語 | 関連語・その他 |
---|---|
SLC | NAND-type flash memory |
1つの素子に1ビットのデータを記憶 | NANDフラッシュ |
Single Level Cell | NANDメモリ |
Single Level Cell Solid State Drive | NAND型フラッシュメモリ |
Single-Level Cell | NAND型フラッシュメモリー |
SLC NAND | SSD |
SLC SSD | ナンド型フラッシュメモリ |
SLC方式 | ナンド型フラッシュメモリー |
エスエルシー | 非揮発メモリ |
エスエルシーエスエスディー | 不揮発メモリ |
シングル・レベル・セル | 不揮発性メモリ |
シングルゥ・レゥヴォルゥ・セルゥ | |
更新日: |
同義語・類義語 | 関連語・その他 |
---|---|
SSD | flash disk |
és és díː | フラッシュディスク |
エス エス ディー | flash drive |
Solid State Drive | フラッシュ・ドライブ |
Solid-State Drive | flash memory drive |
sɑ́ləd steit draiv | フラッシュ・メモリ・ドライブ |
ソァラゥッドゥ ステイトゥ ドゥライヴ | フラッシュメモリドライブ |
ソァラゥッドゥ・ステイトゥ・ドゥライヴ | NANDメモリ |
ソリッド ステート ドライブ | NAND型フラッシュメモリ |
ソリッド・ステート・ドライブ | flash storage |
ソリッドステートドライブ | フラッシュ・ストレージ |
半導体ドライブ | フラッシュストレージ |
シリコンドライブ | 非揮発メモリ |
メモリドライブ | 不揮発メモリ |
疑似ディスクドライブ | 不揮発性メモリ |
Solid State Disk | M.2 |
・ | NGFF |
2.5インチタイプ SATA SSD | Next Generation Form Factor |
SATA M.2 SSD | |
PCIe 3.0 M.2 SSD | |
PCIe 4.0 M.2 SSD | |
更新日:2022年 1月31日 |
同義語・類義語 | 関連語・その他 |
---|---|
TLC | 8値 |
1つの素子に3ビットのデータを記憶 | MLC |
TLC NAND | MLC-2 |
TLC SSD | MLC-3 |
TLCチップ | MultiLevel Cell |
Triple Level Cell | Multiple Level Cell |
triple level cell | NANDメモリ |
ティーエルシー | NAND型フラッシュメモリ |
トゥリポルゥ・レゥヴォルゥ・セルゥ | SSD |
トリプル・レベル・セル | 非揮発メモリ |
不揮発メモリ | |
不揮発性メモリ | |
更新日: |
同義語・類義語 | 関連語・その他 |
---|---|
vRPM | Virtual |
virtual Revolutions Per Minute | və́ːrtʃuəl |
və́ːrtʃuəl rèvəlúːʃənz pər mínət | ヴゥァーチュァルゥ |
ヴゥァーチュァルゥ レヴォリューシャンズ プゥァー ミェニトゥ | ヴゥァ́ーチュァルゥ |
ヴゥァーチュァルゥ・レヴォリューシャンズ・プゥァー・ミェニトゥ | バーチャル |
バーチャル レボリューションズ パー ミニッツ | バ́ーチャル |
バーチャル・レボリューションズ・パー・ミニッツ | [形容詞] |
virtual RPM | 仮想の |
ブイ アール ピー エム | 虚像の |
仮想rpm | ・ |
仮想回転数/分 | Revolutions |
rèvəlúːʃənz | |
レヴォリューシャンズ | |
レボリューションズ | |
[名詞] | |
回転 | |
回転速度 | |
変革 | |
革命 | |
・ | |
SanDisk | |
SSD | |
更新日:2024年 3月22日 |
同義語・類義語 | 関連語・その他 |
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半導体ディスク | 外部記憶装置 |
RAMディスク | SSD |
Silicon Disk | USBメモリ |
silicon disk | フラッシュ・ドライブ |
sílikn dísk | |
シィリィカゥン デェィスク | |
シィリィカゥン・デェィスク | |
シリコン ディスク | |
シリコン・ディスク | |
シリコンディスク | |
半導体ディスク装置 | |
更新日:2024年 3月29日 |