出典: eDRAM 『フリー百科事典 ウィキペディア日本語版(Wikipedia)』 最終更新 2016年5月24日 (火) 12:37 UTC、URL: https://ja.wikipedia.org/ eDRAM(Embedded DRAM)、混載DRAMは、メインのASICやプロセッサと同じダイまたはパッケージに統合された、キャパシタベースのDRAMである。 [概要] 外部DRAMモジュールや、主にキャッシュとして使われるトランジスタベースのSRAMと対比される。 DRAMを混載することで、バス幅を広げ、処理速度を向上させることができる。DRAMはSRAMに比べて集積度が高いため、潜在的にはより大容量のメモリを使用可能である。しかし、製造工程の違いにより単一ダイへの統合は難しく、複数のダイを1チップに封入する必要があるため、コストを押し上げる要因となっている。最近では、1T-SRAMなどのように、標準CMOSプロセスを使ってeDRAMを製造することで、この問題を回避しつつある。 ・・・ |
eDRAM | embedded DRAM | ɛmbɛ́dɪd díːrˈæm | エァンベディッドゥ ディーラェム |
エァンベディッドゥ・ディーラェム | エァンベディッドゥ ダイナェミック ラェンダゥム アクセス メムリ | エァンベディッドゥ・ダイナェミック・ラェンダゥム・アクセス・メムリ | イーディーラム |
エンベディッド ダイナミック ランダム アクセス メモリ | エンベディッド・ダイナミック・ランダム・アクセス・メモリ | 混載DRAM | こんさいディーラム |
konsai dhi-ramu | 混載タイプDRAM | 混載タイプディーラム | こんさいタイプディーラム |
混載ディーラム | |||
embedded | ɛmbɛ́dɪd | アゥンベディッドゥ | エァンベディッドゥ |
エンベディッド | はめ込んだ | 埋め込んだ | 組み込んだ |
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更新日:2020年 8月20日 |