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ICT用語の意味と同義語

【 「強誘電抵抗変化メモリー」又はそれに関連する用語の意味 】
出典: 抵抗変化型メモリ 『フリー百科事典 ウィキペディア日本語版(Wikipedia)』 最終更新 2017年8月6日 (日) 06:30 UTC、URL: https://ja.wikipedia.org/

 ReRAM(英: resistive random access memory)は電圧の印加による電気抵抗の変化を利用した半導体メモリー。RRAM、抵抗変化型メモリなどとも呼ばれる。なおRRAMはシャープの登録商標である。ReRAMは電圧印加による電気抵抗の大きな変化(電界誘起巨大抵抗変化、CER効果)を利用しており、
● 電圧で書き換えるため(電流が微量で)消費電力が小さい
● 比較的単純な構造のためセル面積が約6F2(Fは配線の径で、数十nm程)と小さく、高密度化(=低コスト化)が可能
● 電気抵抗の変化率が数十倍にものぼり、多値化も容易
● 読み出し時間が10ナノ秒程度と、DRAM並に高速
といったデバイスとしての利点がある。

[原理] 電界誘起巨大抵抗変化には、金属酸化物と電極の界面での抵抗変化と、金属酸化物中での電導経路の抵抗変化の2種類の原理がある。 ・・・



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抵抗変化型メモリ (Wikipedia)



【 強誘電抵抗変化メモリー の同義語と関連語 】
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同義語・類義語 関連語・その他
抵抗変化メモリ CER効果
ReRAM クロスポイント型ReRAM
Resistance RAM シャープ
Resistive RAM 電界誘起巨大抵抗変化
Resistive Random Access Memory
rizístiv rǽndəm ǽkses mémri Resistance
リジィスティヴ ラェンダゥム アクセス メモゥリー rizístəns
リジィスティヴ・ラェンダゥム・アクセス・メモゥリー リィジィスタゥンツ
レジスティブ ランダム アクセス メモリ レジスタンス
レジスティブ・ランダム・アクセス・メモリ [名詞]
RRAM 電気抵抗
アール イー・ラム
アール ラム Resistive
アール・ラム rizístiv
アールラム リジィスティヴ
強誘電抵抗変化メモリー レジスティブ
抵抗変化メモリー [形容詞]
抵抗変化型メモリ 電気抵抗の
抵抗変化型メモリー 抵抗性の
抵抗変化型不揮発メモリ

access

ǽkses

アェクセス

アェ́クセス

アクセス

ア́クセス

[名詞]

交通手段

交通の便

接近

接近手段

[他動詞]

立ち入る

入る

接続する

読み書きする

利用可能にする






更新日:2022年10月23日




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