出典: NOR型フラッシュメモリー [読み] ノアがたフラッシュメモリー 『通信用語の基礎知識』 更新年月日 2012/05/14,URL: https://www.wdic.org/ フラッシュメモリーの一種。NORフラッシュメモリーとも。 [概要] 1984(昭和59)年に東芝により開発された、最初のフラッシュメモリーである。 信頼性に優れており、別途の誤り訂正回路などを必要としないが、代わりに消去や書き込みが非常に遅く、また集積度が劣るため大型という難点がある。 後継はNAND型フラッシュメモリーだが、NANDとNORはそれぞれが利点と欠点を持ち、一長一短が存在している。 [特徴] NAND型フラッシュメモリーと比較すると、次のような特徴がある。 ● 読み出しが速い ● ランダムアクセスが速い ● 1バイト単位での読み込みが可能 ● 書き込みが遅い ● 消去も遅い バイト単位でのアクセスが可能であるため、従来のROMのようにここにプログラムを置いて直接CPUで実行することが可能である。 |
出典: NOR型フラッシュメモリ 『フリー百科事典 ウィキペディア日本語版(Wikipedia)』 最終更新 2019年11月29日 (金) 12:42 UTC、URL: https://ja.wikipedia.org/ NOR型フラッシュメモリ(ノアがたフラッシュメモリ)は、フラッシュメモリの一種である。 NAND型フラッシュメモリとは異なり、データの読み出しにおいて、RAMと同様にアドレス指定によるアクセスができ、コードをRAMにコピーすることなく直接実行すること(execute in place)が可能。 データの書き込みについては、一度ブロック単位で消去した後、書き込むという手順を踏む。この手順についてはIntel系コマンドやAMD系コマンドなどがあるが、チップの特性情報を読み出すコマンドは共通フラッシュメモリインターフェース(Common Flash memory Interface) として標準化されている。用途として、マイコンをはじめ、高い信頼性が求められるルーター、プリンター、デジタルカメラ、GPS、車載機器、携帯電話やPDAなど、どれもハードディスクが使用できない環境でファームウェアの格納等に使われる。 ・・・ |
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同義語・類義語 | 関連語・その他 |
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DiNOR型フラッシュメモリ | トンネル効果 |
Divided bit line NOR | 100ns |
・ | execute in place |
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更新日:2021年12月31日 |