パステム IT用語辞典・IT用語同義語辞典

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用語解説【絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ】
出典: 絶縁ゲートバイポーラトランジスタ 『フリー百科事典 ウィキペディア日本語版(Wikipedia)』 最終更新 2018年5月1日 (火) 12:41 UTC、URL: https://ja.wikipedia.org/ 絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(ぜつえんゲートバイポーラトランジスタ、英: Insulated Gate Bipolar Transistor、IGBT)は半導体素子のひとつで、MOSFETをベース部に組み込んだバイポーラトランジスタである。電力制御の用途で使用される。 [歴史] IGBTはサイリスタと同様にP-N-P-Nの4層からなる半導体素子でありながら、サイリスタ動作をさせずにMOSゲートで電流を制御できる素子である。このIGBT動作モードは1968年に山上倖三によって特許公報昭47-21739で最初に提案された。また、1968年にはB.W. Scharf とJ.D. Plummerが4層の横型サイリスタでこのIGBT動作モードを実験的に初めて確認している。・・・

IT用語同義語・関連語【絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ】
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IGBT Insulated Gate Bipolar Transistor アイジービーティー インサゥレゥイタゥドゥ・ゲイトゥ・バイポーラゥ・トゥランジスタゥー
絶縁ゲート・バイポーラ・トランジスタ 絶縁ゲートバイポーラトランジスタ 絶縁ゲート型バイポーラ・トランジスタ 絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ


















































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