パステム IT用語辞典・IT用語同義語辞典

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用語解説【相変化メモリ】
出典:「相変化メモリ」『フリー百科事典 ウィキペディア日本語版(Wikipedia)』 最終更新 最終更新 2017年2月19日 (日) 03:33 UTC、URL: https://ja.wikipedia.org/ 相変化メモリ(そうへんかめもり・英: Phase Change Random Access Memory)は、相変化記録技術を利用した、不揮発性メモリであり、PCRAM・PRAM・PCMとも呼ばれる。DRAMとの違いはキャパシター部分を相変化膜に置き換えだけであり、従来の製造プロセスと親和性が高く、技術的に共通点が多く、既存の設備を流用し易い。結晶相は低抵抗でアモルファス相は高抵抗である事を利用してデータの記録に利用する。書き込みは素子への熱変化により行う。・・・

IT用語同義語・関連語【相変化メモリ】
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PCM PCRAM Phase Change RAM Phase Change Random Access Memory
PRAM ピーラム フェイズ・チェインジ・ラェンダゥム・アクセス・メムリ フェーズ・チェンジ・ランダム・アクセス・メモリ
相変化メモリ 不揮発メモリ 不揮発性メモリ






























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