ICT用語の意味と同義語
【 「電気抵抗」又はそれに関連する用語の意味 】
| 出典: 耐タンパー性 [外語] tamper resistance 『通信用語の基礎知識』 更新年月日 2012/07/10,URL: https://www.wdic.org/ 内部解析や情報改変への防御力。物理的/論理的を問わず、内部情報を読み取られることに対する耐性。 |
| 出典: 耐タンパー性能 『フリー百科事典 ウィキペディア日本語版(Wikipedia)』 最終更新 2020年1月1日 (水) 16:29 UTC、URL: https://ja.wikipedia.org/ 耐タンパー性能 (耐タンパー性、耐タンパ性 とも) とは、コンピュータ・情報処理の分野において、機器や装置、ソフトウェアなどに対して考慮されることがある性質の一つで、それらの対象物の内部構造・データ処理メカニズムや、それらの対象物に記録されたデータなどが、外部から不当に解析、読み取り、改変がされにくいようになっているという性質。対応する英語表現は tamper resistant であるが、英語ではより一般的な、コンピュータ・情報処理の分野にとどまらない用法もある。耐タンパー性を実現する手法は、以下の切り口で分類される。 ● ソフトウェア・ハードウェアのいずれで実装するか ● 外部からの関与を受けにくいようにするか、外部からの関与を受けたときに読み取り・改変がされにくいようにするか |
| 出典: 抵抗変化型メモリ 『フリー百科事典 ウィキペディア日本語版(Wikipedia)』 最終更新 2017年8月6日 (日) 06:30 UTC、URL: https://ja.wikipedia.org/ ReRAM（英: resistive random access memory）は電圧の印加による電気抵抗の変化を利用した半導体メモリー。RRAM、抵抗変化型メモリなどとも呼ばれる。なおRRAMはシャープの登録商標である。ReRAMは電圧印加による電気抵抗の大きな変化（電界誘起巨大抵抗変化、CER効果）を利用しており、 ● 電圧で書き換えるため（電流が微量で）消費電力が小さい ● 比較的単純な構造のためセル面積が約6F2（Fは配線の径で、数十nm程）と小さく、高密度化（=低コスト化）が可能 ● 電気抵抗の変化率が数十倍にものぼり、多値化も容易 ● 読み出し時間が10ナノ秒程度と、DRAM並に高速 といったデバイスとしての利点がある。 [原理] 電界誘起巨大抵抗変化には、金属酸化物と電極の界面での抵抗変化と、金属酸化物中での電導経路の抵抗変化の2種類の原理がある。 ・・・ |
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耐タンパー性 (通信用語の基礎知識)
抵抗変化型メモリ (Wikipedia)
耐タンパー性能 (Wikipedia)
【 電気抵抗 の同義語と関連語 】
< 1 >
| 同義語・類義語 | 関連語・その他 |
|---|---|
| Ω | |
| ohm | |
| R | |
| Resistor | |
| オーム | |
| 抵抗 | |
| 抵抗器 | |
| 電気抵抗 | |
| 更新日: |
【 電気抵抗 の同義語と関連語 】
< 2 >
| 同義語・類義語 | 関連語・その他 |
|---|---|
| tamper | resistance |
| tǽmpər | rizístəns |
| タェンパゥー | リィジィスタゥンツ |
| タンパー | レジスタンス |
| [自動詞] | [名詞] |
| 許可なくいじくる | 抵抗 |
| 干渉する | 電気抵抗 |
| 手を付ける | 耐性 |
| 改竄する | ・ |
| [他動詞] | resistant |
| ～を改竄する | rizístənt |
| ・ | リィジィスタゥントゥ |
| tamper resistant | レジスタント |
| tǽmpər rizístənt | [形容詞] |
| タェンパゥー リィジィスタゥントゥ | 耐性のある |
| タェンパゥー・リィジィスタゥントゥ | 抵抗性の |
| タンパー レジスタント | 抵抗力のある |
| タンパー・レジスタント | ・ |
| 耐タンパー性 | tamper switch |
| 耐タンパ性 | タンパ・スイッチ |
| 耐タンパー性能 | タンパー・スイッチ |
| ・ | |
| tamper Resistance | |
| tǽmpər rizístəns | |
| タェンパゥー リィジィスタゥンツ | |
| タェンパゥー・リィジィスタゥンツ | |
| タンパー レジスタンス | |
| タンパー・レジスタンス | |
| タンパーレジスタンス | |
| タンパー防護 | |
| 更新日:2022年 2月12日 |
【 電気抵抗 の同義語と関連語 】
< 3 >
| 同義語・類義語 | 関連語・その他 |
|---|---|
| 抵抗変化メモリ | CER効果 |
| ReRAM | クロスポイント型ReRAM |
| Resistance RAM | シャープ |
| Resistive RAM | 電界誘起巨大抵抗変化 |
| Resistive Random Access Memory | ・ |
| rizístiv rǽndəm ǽkses mémri | Resistance |
| リジィスティヴ ラェンダゥム アクセス メモゥリー | rizístəns |
| リジィスティヴ・ラェンダゥム・アクセス・メモゥリー | リィジィスタゥンツ |
| レジスティブ ランダム アクセス メモリ | レジスタンス |
| レジスティブ・ランダム・アクセス・メモリ | [名詞] |
| RRAM | 電気抵抗 |
| アール イー・ラム | ・ |
| アール ラム | Resistive |
| アール・ラム | rizístiv |
| アールラム | リジィスティヴ |
| 強誘電抵抗変化メモリー | レジスティブ |
| 抵抗変化メモリー | [形容詞] |
| 抵抗変化型メモリ | 電気抵抗の |
| 抵抗変化型メモリー | 抵抗性の |
| 抵抗変化型不揮発メモリ | ・ |
| access | |
| ǽkses | |
| アェクセス | |
| アェ́クセス | |
| アクセス | |
| ア́クセス | |
| [名詞] | |
| 交通手段 | |
| 交通の便 | |
| 接近 | |
| 接近手段 | |
| [他動詞] | |
| 立ち入る | |
| 入る | |
| 接続する | |
| 読み書きする | |
| 利用可能にする | |
| ・ | |
| 更新日:2022年10月23日 |