ICT用語の意味と同義語
【 「有機金属気相成長法」又はそれに関連する用語の意味 】
| 出典: き・そう【気相】『新村 出編 広辞苑 第五版 CD-ROM版 岩波書店』 物質が気体となっている状態。 |
| 出典: エピタキシャル成長 『フリー百科事典 ウィキペディア日本語版(Wikipedia)』 最終更新 2016年10月25日 (火) 14:21 UTC、URL: https://ja.wikipedia.org/ エピタキシャル成長（英語：epitaxial growth）とは、薄膜結晶成長技術のひとつである。基板となる結晶の上に結晶成長を行い、下地の基板の結晶面にそろえて配列する成長の様式である。基板と薄膜が同じ物質である場合をホモエピタキシャル、異なる物質である場合をヘテロエピタキシャルと呼ぶ。結晶成長の方法として分子線エピタキシー法や有機金属気相成長法、液相エピタキシー法などがある。エピタキシャル成長が起こるには格子定数のほぼ等しい結晶を選ぶ必要があり、温度による膨張係数の近い物でなくてはならない。 ・・・ |
| 出典: 化学気相成長 『フリー百科事典 ウィキペディア日本語版(Wikipedia)』 最終更新 2013年11月1日 (金) 16:54 UTC、URL: https://ja.wikipedia.org/ 化学気相成長（かがくきそうせいちょう）、化学気相蒸着（かがくきそうじょうちゃく）または化学蒸着（CVD: chemical vapor deposition）は、さまざまな物質の薄膜を形成する蒸着法のひとつで、石英などで出来た反応管内で加熱した基板物質上に、目的とする薄膜の成分を含む原料ガスを供給し、基板表面あるいは気相での化学反応により膜を堆積する方法である。常圧（大気圧）や加圧した状態での運転が可能な他、化学反応を活性化させる目的で、反応管内を減圧しプラズマなどを発生させる場合もある。切削工具の表面処理や半導体素子の製造工程において一般的に使用される。 ・・・ |
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化学気相成長 (Wikipedia)
【 有機金属気相成長法 の同義語と関連語 】
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| 同義語・類義語 | 関連語・その他 |
|---|---|
| Epitaxial Growth | |
| epitaxial growth | |
| epitaxy | |
| エピタキシ | |
| エピタキシアルゥ・グロウスゥ | |
| エピタキシャル成長 | |
| ヘテロエピタキシャル | |
| ホモエピタキシャル | |
| 液相エピタキシー法 | |
| 分子線エピタキシー法 | |
| 有機金属気相成長法 | |
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【 有機金属気相成長法 の同義語と関連語 】
< 2 >
| 同義語・類義語 | 関連語・その他 |
|---|---|
| 化学気相成長 | vapor |
| かがくきそうせいちょう | véipər |
| Chemical Vapor Deposition | ヴェイパゥー |
| chemical vapor deposition | ヴェイパー |
| kémikəl véipər dèpəzíʃən | [名詞] |
| ケミカゥル ヴェイパゥー デパジィシュン | 気化ガス |
| ケミカゥル・ヴェイパゥー・デパジィシュン | 霧 |
| ケミカル ヴェイパー デポジション | ガス |
| ケミカル・ヴェイパー・デポジション | 蒸発 |
| CVD | 水蒸気 |
| síː ví: díː | [自動詞] |
| シィー ヴィー ディー | 蒸発する |
| シー ブイ ディー | ・ |
| MOCVD | Deposition |
| アトミック・レイヤーCVD | dèpəzíʃən |
| アモルファス・シリコン薄膜 | デパジィシュン |
| エピタキシャルCVD | デポジション |
| シリコン酸化膜 | [名詞] |
| シリコン窒化膜 | 沈殿 |
| シリコン薄膜 | 沈殿物 |
| プラズマCVD | 堆積 |
| 化学気相蒸着 | 堆積物 |
| 化学気相成長法 | |
| 化学蒸着 | |
| 有機金属気相成長法 | |
| 光CVD | |
| 光シーブイディー | |
| 熱CVD | |
| 熱シーブイディー | |
| 更新日:2023年 1月 4日 |
